Den TBMDA3B, 10MHz – 1 GHz modulerade bredbandseffektförstärkaren är designad för att tillhandahålla en billig RF-strömkälla för immunitetstestning av elektroniska byggstenar och produkter före överensstämmelse. Drivs med en ineffekt på mindre än 0 dBm, kan den leverera en mättad uteffekt på upp till 8 W.
TBMDA3 är idealisk för att driva Tekbox närfältsprober för att hitta den känsliga punkten i elektroniska kretsar, eller för att generera stark elektrisk fält för utstrålad immunitetstestning i TEM-celler. Den kan generera upp till 700V/m när man kör Tekbox TEM Cell TBTC0, 400V/m när man kör TBTC1, 200V/m när man kör TBTC2 eller 130V/m när man kör TBTC3.
En inbyggd AM-modulator möjliggör användning av spårningsgeneratorer som signalkälla. TBMDA3B har tillräcklig förstärkning för att uppnå sin maximala uteffekt när den drivs med spårningsgeneratorn i en spektrumanalysator. Förutom 1 kHz, 80 % AM, har TBMDA3B inbyggd moduleringskapacitet för att generera 1 kHz, 50 % duty cycle PM-signaler. I PM-läge kan TBMDA3B även generera en 217 Hz-signal med 12,5 % arbetscykel för att simulera TDMA-brus från mobiltelefoner.
Ansökan:
- Bredbands RF-effektförstärkare för utförda immunitetstester som driver CDN:er eller BCI-prober
- Bredbands RF-effektförstärkare för testning av strålningsimmunitet, kör nära fältprober
- Bredbands RF-effektförstärkare för testning av utstrålad immunitet, driver TEM-celler
Funktioner:
- CW-förstärkare (modulering av)
- 1 kHz, 80 % AM-modulering
- 1 kHz, 50 % arbetscykelpulsmodulering
217 Hz, 12,5 % arbetscykelpulsmodulering
Teknisk data:
- Input / Output: 50 Ohm, N female
- Supply Voltage range: 110 V…240 V
- Supply power consumption: 25 W @ 220V
- Operating temperature range: -20°C to 50°C
- Frequency range: 10 MHz – 1 GHz, usable from 5 MHz to 1.1 GHz
- Small signal gain: 42.5 dB typ.
- Gain flatness 10 MHz – 1 GHz / Pin = -15 dBm: 2.5 dB typ.
- Saturated output power @ 5 MHz / Pin = 0 dBm: 38.9 dBm (7.8 W) typ.
- Saturated output power @ 10 MHz / Pin = 0 dBm: 39.1 dBm (8.2 W) typ.
- Saturated output power @ 50 MHz / Pin = 0 dBm: 39.8 dBm (9.5 W) typ.
- Saturated output power @ 75 MHz / Pin = 0 dBm: 39.9 dBm (9.8 W) typ.
- Saturated output power @ 100 MHz / Pin = 0 dBm: 39.9 dBm (9.7 W) typ.
- Saturated output power @ 250 MHz / Pin = 0 dBm: 40.5 dBm (11.2 W) typ.
- Saturated output power @ 500 MHz / Pin = 0 dBm: 40.5 dBm (11.2 W) typ.
- Saturated output power @ 750 MHz / Pin = 0 dBm: 39.5 dBm (8.9 W) typ.
- Saturated output power @ 1 GHz / Pin = 0 dBm: 38.8 dBm (7.6 W) typ.
- Saturated output power @ 1.1 GHz / Pin = 0 dBm: 38.3 dBm (6.8 W) typ.
- 1dB output compression point @ 5 MHz: 38.2 dBm typ. (Pin: -2 dBm)
- 1dB output compression point @ 10 MHz: 38.7 dBm typ. (Pin: -3 dBm)
- 1dB output compression point @ 50 MHz: 39.1 dBm typ. (Pin: -3 dBm)
- 1dB output compression point @ 100 MHz: 39.7 dBm typ. (Pin: -1 dBm)
- 1dB output compression point @ 250 MHz: 39.9 dBm typ. (Pin: -2 dBm)
- 1dB output compression point @ 500 MHz: 39.4 dBm typ. (Pin: -3 dBm)
- 1dB output compression point @ 750 MHz: 38.8 dBm typ. (Pin: -3 dBm)
- 1dB output compression point @ 1000 MHz: 37 dBm typ. (Pin: -5 dBm)
- 1dB output compression point @ 1100 MHz: 36.9 dBm typ. (Pin: -5 dBm)
- 2 nd harmonic, 100 MHz, Pout = 39.9 dBm: < – 27 dBc typ.
- 2 nd harmonic, 100 MHz, Pout = 34 dBm: < – 13.5 dBc typ.
- 3 rd harmonic, 100 MHz, Pout = 39.9 dBm: < – 12 dBc typ.
- 3 rd harmonic, 100 MHz, Pout = 34 dBm: < – 24 dBc typ.
Total harmonisk distorsion:
- 18.9% @100 MHz, Pout = 31 dBm typ.
- 21.8% @100 MHz, Pout = 34 dBm typ.
- 23.4% @100 MHz, Pout = 37 dBm typ.
- 31.1% @100 MHz, Pout = 39.9 dBm typ.
- Third order output intercept point: 44 dBm, @100 MHz, ∆ f = 2 MHz, typ.
- Internal modulation frequency AM: 1 kHz ± 20%
- Internal modulation frequencies PM: 1 kHz ± 20%, 217 Hz ± 20%
- Duty cycle, PM: 50% ± 10% @ 1 kHz; 12.5% ± 20% @ 217 Hz
Maximum ratings:
- Maximum input power: +0 dBm
